luan an tien si vat ly, chuyen nganh, quang hoc, tao mang dan dien, trong suot, bang phuong phap, phun xa magnetron, tran cao vinh

LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ
Chuyên ngành: Quang học
Mã số: 1.02.18

TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON

NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: GS.TS. NGUYỄN HỬU CHÍ

Nghiên cứu sinh: Trần Cao Vinh

MỞ ĐẦU

Màng mỏng trong suốt dẫn điện (transparent conducting – TC) Đã và đang là đối tượng nghiên cứu thu hút rất nhiều sự quan tâm của nhiều phòng thí nghiệm trên thế giới. Tính chất đặc biệt của vật liệu này là khả năng dẫn điện gần như kim loại nhưng lại trong suốt trong vùng khả kiến tương tự như các chất điện môi. Do đặc điểm này mà vật liệu TC xuất hiện trong hầu hết các ứng dụng ở đó tính dẫn điện và trong suốt cao được đồng thời yêu cầu. Rất nhiều ứng dụng điện tử, quang điện tử dựa trên vật liệu TC đã được nghiên cứu phát triển.

Những thiết bị dạng màng mỏng bao gồm: Chống ngưng tụ hơi nước cho cửa sổ máy bay, phương tiện cơ giới; Màng chắn tĩnh điện, màn chắn nhiễu điện từ; Gương phản xạ nhiệt cho cửa sổ và bóng đèn nhiệt; Điện cực trong suốt cho màn hình hiển thị tinh thể lỏng (LCD), màn hình plasma, màn điện sắc; Đi-ốt phát quang hữu cơ (OLED), điện cực cho pin mặt trời dựa trên Si vô định hình; Các tiếp xúc bán dẫn cho ứng dụng điện tử trong suốt. Các công nghệ đang phát triển hiện nay là các tivi màn hình phẳng định vị cao (High Definition TV), màn hình lớn với độ phân giải siêu cao cho máy tính để bàn, cửa sổ phát xạ thấp (Low Emission), cửa sổ điện sắc, màng mỏng photovoltaic (PV), thiết bị cầm tay thông minh, màn hình cảm ứng, các thiết bị phát quang.

Đồng thời có độ truyền qua cao (> 80%) Trong vùng khả kiến và độ dẫn điện cao (> 103 S. Cm-1) Không thể tìm được trong các vật liệu thông thường. Dẫn điện tốt và bán trong suốt có thể thu được dưới dạng màng mỏng của một số kim loại như bạc và vàng. Phương thức thông thường nhất hiện nay để chế tạo được vật liệu TC là tạo nên sự không hợp thức có kiểm soát trong cấu trúc tinh thể hoặc đưa vào các tạp chất thích hợp để tạo sự suy biến trong vùng cấm rộng của một số ôxít. Những cách thức này có thể dễ dàng thu được với các ôxít ở dạng màng mỏng được chế tạo bằng nhiều kỹ thuật khác nhau. Do đó vật liệu TC dựa trên các ôxít (Transparent Conducting Oxide – TCO) Đã được tập trung nghiên cứu nhiều nhất.

TCO đã được nghiên cứu sử dụng từ đầu thế kỷ 20 (1907) Với CdO. Từ đó rất nhiều vật liệu TCO dưới dạng màng mỏng được nghiên cứu chế tạo như ZnO pha tạp, SnO₂ pha tạp, In₂O3 pha tạp. Từ những năm 60 của thế kỷ trước, vật liệu TCO được sử dụng rộng rãi nhất cho các thiết bị quang điện tử là In₂O3 pha tạp Sn (ITO).

Và cho đến nay, ITO vẫn là vật liệu được sử dụng chủ yếu trong sản suất các linh kiện quang điện tử do tính ưu việt về độ dẫn điện và tính trong suốt. Vật liệu ZnO, SnO₂ được pha tạp, cũng thu hút nhiều nghiên cứu do có ưu điểm về chi phí thấp hơn nhiều so với ITO, tuy nhiên phạm vi ứng dụng trong quang điện tử chưa rộng rãi và chưa thể thay thế ITO vì một số nhược điểm chưa khắc phục được ví dụ như độ dẫn điện kém hơn. Sự phát triển mạnh mẽ trong ứng dụng đa dạng của vật liệu TCO ngày nay đã làm cho việc nghiên cứu về mặt khoa học và triển khai công nghệ của vật liệu này ngày càng được đẩy mạnh.

Về thực nghiệm, người ta tiếp tục nghiên cứu sử dụng TCO cho các ứng dụng mới hoặc tăng cường tính năng cho các ứng dụng đã có, bên cạnh đó là việc tổng hợp và tăng cường độ dẫn điện cho những loại vật liệu TCO có ít hàm lượng In như các ôxít nhiều thành phần ZnO-In₂O3, In₂O3-SnO₂ và ZnO- In₂O3-SnO₂ hoặc các TCO không có In như ZnO pha tạp Al, Ga nhất là cho ứng dụng màn hình hiển thị có diện tích lớn, yêu cầu tốc độ đồ họa nhanh hơn hiện nay. Về lý thuyết, cơ sở khoa học về vật liệu này tiếp tục được củng cố và xây dựng, các phương pháp nghiên cứu tính chất dựa trên các mô hình vật lý để phân tích và dự đoán giới hạn về tính năng của TCO được đưa ra. Nhiều ứng dụng của TCO được quan tâm đó là các thiết bị điện tử hay quang điện tử trong đó các tiếp xúc dị thể được chế tạo dựa trên các TCO như điện cực cho OLED, pin mặt trời, sensor quang học hoặc các thiết bị điện tử, quang điện tử dựa trên chuyển tiếp P-n trong suốt như điốt, transistor, điốt phát quang, laser, đầu dò UV, các ứng dụng trong màn hình trong suốt, mạch tích hợp trong suốt,.. .

Do đó ngoài những yêu cầu về tính dẫn điện trong suốt, các tính chất khác như tính chất tinh thể, các tính chất bề mặt và sự tương thích về tiếp xúc bề mặt của vật liệu TCO với các vật liệu khác cần được nghiên cứu một cách đầy đủ. Ngoài ra các yếu tố liên quan đến công nghệ chế tạo như cải thiện kỹ thuật hiện có, xây dựng các kỹ thuật chế tạo mới, tìm cách 3 thức triển khai sản xuất công nghiệp một cách hiệu quả cũng rất được quan tâm vì chúng quyết định việc chuyển giao kết quả nghiên cứu vào thực tiễn. Ở Việt Nam đã có các tập thể khoa học của Giáo sư Nguyễn Năng Định và cộng sự ở Trường Đại học Công nghệ - Đại học Quốc gia Hà Nội, nghiên cứu và chế tạo thành công ITO bằng phương pháp bốc bay chùm tia điện tử; Tập thể của Giáo sư Nguyễn Hửu Chí, Thạc sĩ Lê Trấn và các cộng sự của Trường Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc gia Tp. Hồ Chí Minh, nghiên cứu và chế tạo thành công ZnO pha tạp Al bằng phương pháp phún xạ magnetron.

Bằng phương pháp phún xạ cathode, cao tần magnetron, nhiều tập thể khoa học trên thế giới như nhóm của Giáo sư Granqvist (Thụy Điển), của Giáo sư Chopra (Singapore), Giáo sư Lampert (Mỹ),.. . Cũng đã công bố nhiều công trình về ITO, SnO₂,.. . Tuy nhiên, lĩnh vực nghiên cứu về vật liệu màng mỏng TCO vẫn tiếp tục thu hút các nhà khoa học trên thế giới. Nhiều hội nghị quốc tế về vật liệu TCO được tổ chức trong những năm gần đây như: European Materials Research Society Conference, Advances in Transparent Electronics: From Materials to Devices – lần I, tổ chức ở Pháp năm 2006 đăng trong tạp chí Thin Solid Films (Vol. 516, Issue 7,2008) Có hơn 20/78 bài viết về ITO, ZnO pha tạp và 4 bài về TCO loại p; First International Symposium on Transparent Conducting Oxides - lần I, tổ chức tại Hy Lạp năm 2006 đăng trong tạp chí Thin Solid Films (Vol. 515, Issue 24,2007) Có hơn 16/78 bài báo viết về ITO, hơn 30/78 bài về ZnO pha tạp và khoảng 4 bài về TCO loại p. Sự tham gia của nhiều tổ chức và các nhà khoa học từ nhiều nơi trên thế giới trong các hội nghị quốc tế trên cho thấy yêu cầu nghiên cứu cơ bản và ứng dụng chuyên về TCO đang rất được quan tâm hiện nay.

Góp phần cho lĩnh vực nghiên cứu về TCO, luận án này trình bày việc chế tạo và nghiên cứu về vật liệu màng mỏng: ITO và ZnO pha tạp Ga (GZO) Bằng phương pháp phún xạ magnetron. Luận án nghiên cứu sử dụng phương pháp phân tích phổ truyền qua quang học trong vùng UV-Vis-NIR dựa trên hàm điện môi từ lý thuyết Drude và dao động Lorentz để rút ra các tính chất quang học của màng mỏng ITO và GZO. Việc tính toán được thực hiện bằng phần mềm Scout (xem giới thiệu ở trang web http: // mtheiss. Com/). Bên cạnh đó các phép đo thực nghiệm khác như hiệu ứng Hall, 4 mũi dò, đo độ dày Stylus, … cũng được sử dụng kết hợp với phương pháp phân tích quang học.

Nghiên cứu ITO trong luận án bao gồm việc chế tạo và khảo sát các tính chất quang và điện, tính chất tinh thể theo các điều kiện chế tạo điển hình trong phương pháp phún xạ magnetron dc, theo điều kiện xử lý nhiệt và rút ra điều kiện tối ưu của phương pháp; Đề ra cơ chế giải thích sự tăng trưởng các mặt tinh thể khác nhau của ITO trên cơ sở nhiệt động lực học; Đưa ra cách thức chế tạo màng ITO có định hướng ưu tiên mạnh (texture) Theo mặt tinh thể (222) Cần thiết cho ứng dụng OLED. Nghiên cứu GZO trong luận án bao gồm việc chế tạo vật liệu gốm dẫn điện cho bia phún xạ (target); Chế tạo và khảo sát các tính chất quang và điện, tính chất tinh thể của GZO theo các điều kiện tạo màng điển hình trong phương pháp phún xạ magnetron rf, theo điều kiện xử lý nhiệt và rút ra điều kiện tối ưu trong phương pháp chế tạo; Đưa ra qui luật hình thành ion âm theo cơ chế phát xạ vết trong phún xạ từ các bia vật liệu để giải thích sự ảnh hưởng của chất pha tạp lên các tính chất điện của màng ZnO. Độ bền khác nhau trong môi trường nhiệt độ cao cho thấy ảnh hưởng khác nhau của loại chất pha tạp lên tính chất điện của màng ZnO có pha tạp. Kết quả nghiên cứu cho thấy những ưu điểm hơn của GZO về độ bền nhiệt trong môi trường ôxi hóa và vận tốc phủ màng so với màng ZnO pha tạp Al (AZO), là một loại vật liệu đã được nghiên cứu rất phổ biến để thay thế ITO.

Kết quả đạt được về độ dẫn điện và độ truyền qua của hai loại vật liệu trong luận án này nằm trong những giá trị tốt nhất, đáp ứng yêu cầu của nhiều ứng dụng khác nhau khi so sánh các kết quả được công bố ở các tạp chí và hội nghị khoa học chuyên ngành trên thế giới.

---------------------------------------------------------------

MỤC LỤC

MỞ ĐẦU

CHƯƠNG 1. ÔXÍT DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT

1.1. Các thông số công nghệ đặc trưng của TCO

1.2. Vật liệu ITO và ZnO

1.3. Tính chất quang học của ôxít dẫn điện trong suốt (TCO)

CHƯƠNG 2. THỰC NGHIỆM VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU

2.1. Phương pháp phún xạ magnetron

2.2. Quá trình thực nghiệm và các phép đo

2.3. Xác định các tính chất quang học của màng mỏng ITO và GZO từ phổtruyền qua bằng mô hình hàm điện môi

CHƯƠNG 3. MÀNG MỎNG ITO

3.1. Giới thiệu

3.2. Xác định tính chất quang học của màng ITO từ phổ truyền qua

3.3. Ảnh hưởng của quá trình chế tạo lên tính chất điện và quang của màng ITO trong phương pháp phún xạ magnetron dc

3.4. Cơ chế chuyển đổi định hướng ưu tiên của các mặt tinh thể trong quá trìnhtăng trưởng màng mỏng ITO

3.5. Tăng cường định hướng tinh thể ITO theo mặt (222) Dựa trên lớp đệm

ZnO và lớp đệm ITO

3.6. Kết luận

CHƯƠNG 4. MÀNG MỎNG GZO

4.1. Giới thiệu

4.2. Chế tạo bia gốm dẫn điện GZO

4.3. Sự hình thành ion âm trong phún xạ từ bia ZnO pha tạp

4.4. Xác định tính chất quang học của màng GZO từ phổ truyền qua

4.5. Ảnh hưởng của quá trình chế tạo lên tính chất điện và quang của màng GZO trong phương pháp phún xạ magnetron RF

4.6. Kết luận

KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ

DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH

TÀI LIỆU THAM KHẢO

MỞ ĐẦU

-----------------------------------------------------------

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tiếng Việt:

1. Tạ Thị Kiều Hạnh (2008), “Ảnh hưởng của sự pha tạp ôxít Mg đến tính chất dẫn điện loại p của vật liệu khối và màng mỏng CuCrO2”, Tuyển tập các Báo cáo Hội nghị Vật lý Chất rắn Toàn quốc lần 5, trang 540 – 543.

2. Lê Trấn, Nguyễn Hửu Chí (2004), “Sự thành lập ion âm ôxygen trong hệ phún xạ magnetron dc với bia ZnO”, Tạp chí Phát triển Khoa học & Công nghệ ĐHQG-Tp. HCM Tập 7 (1), trang 15 – 18.

3. Phạm Phú Yên, Huỳnh Đức Vinh, Kỹ thuật sản xuất gốm sứ, Hà Nội. (1995)

Tiếng Nga:

4. Добреуоь Л.Н. (1964), Эмиссионнаф Электроника, М-Л.,.смр. 189.

Tiếng Anh:

5. Akkad F.E. (2000), “Effect of Substrate Temperature on the Structural, Electrical and Optical Properties of ITO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering”, Phys. Stat. Sol. 177, pp. 445 – 452.

6. Albertsson J. (1989), “Atomic displacement, anharmonic thermal vibration, expansivity and pyroelectric coefficient thermal dependences in ZnO”, Acta Crystallographica B 45, pp.34 – 40.

7. Ataev B. M. (1995), “Highly conductive and transparent Ga – doped epitaxial ZnO films on sapphire by CVD”, Thin Solid Films 260, pp. 19 – 20.

8. Baer W. S. (1967), “Faraday rotation in ZnO: Determination of the electron effective mass”, Physical Review 154, pp. 785 – 789.

9. Beena D. (2007), “Influence of substrate temperature on the properties of laser ablated indium tin oxide films”, Solar Energy Materials and Solar Cells 91, pp.1438 – 1443.

10. Bellingham J. R. (1992), “Intrinsic performance limits in transparent conducting oxides”, J. Mater. Sci. Lett. 11, pp. 263 – 265.

11. Berggren K. F., Sernelius B. E. (1981), “Band-gap narrowing in heavily doped many-valley semiconductors”, Physical Review B 24, pp. 1971 – 1986.

12. Bhattacharyya D. (1996), “Effect of substrate on the structural and optical properties of chemical-bath-deposited CdS films”, Thin Solid Films 288, pp.176 – 181.

13. Boiadjiev S. I. (2007), “Preparation and properties of RF sputtered indium–tin oxide thin films for applications as heat mirrors in photothermal solar energy conversion”, Thin Solid Films 515, pp. 8465 – 8468. 180

14. Boycheva S. (2007), “Structural, optical and electrical peculiarities of r.f. plasma sputtered indium tin oxide films”, Thin Solid Films 515, pp. 8469 – 8473.

15. Brehme S. (1999), “Free-carrier plasma resonance effects and electron transport in reactively sputtered degenerate ZnO:Al films”, Thin Solid Films 342, pp. 167 – 173.

16. Brewer S. H. (2002), “Optical properties of indium tin oxide and fluorine-doped tin oxide surfaces: correlation of reflectivity, skin depth, and plasmon frequency with conductivity”, Journal of Alloys and Compounds 338, pp. 73 – 79.

17. Cebulla R. (1998), “Al–doped zinc oxide films deposited by simultaneous rf and dc excitation of a magnetron plasma: Relationships between plasma parameters and structural and electrical film properties”, J. Appl. Phys. 83(2), pp. 1087 – 1095.

18. Chen M. (2000), “Intrinsic limit of electrical properties of transparent conductive oxide films”, J. Phys. D: Appl. Phys. 33, pp. 2538 – 2548.

19. Choi C. G. (1995), “Effects of oxygen partial pressure on the microstructure and electrical properties of indium tin oxide film prepared by d.c. magnetron sputtering”, Thin Solid Films 258, pp. 274-278.

20. Chopra K. L. (1983), “Transparent Conductors – A Status Review”, Thin Solid Films 102, pp. 1 – 46.

21. Coutts T. J. (2000), “Characterization of Transparent Conducting Oxides”, MRS Bulletin 25(8), pp. 58 – 65.

22. Cullity B. D. (1978), Elements of X – Ray Diffraction, Addison – Wesley Publishing Company, Inc., USA.

23. Cuomo J. J. (1977), “Origin and Effects of Negative Ions in the Sputtering of Intermetallic Compounds”, IBM J. Res. Develop., November Communication, pp. 580 – 583.

24. Cuomo J. J. (1978), “Significance of negative ion formation in sputtering and SIMS analysis”, J. Vac. Sci. Tech. 15, pp. 281 – 287.

25. De A. (2007), “Study of annealing time on sol–gel indium tin oxide films on glass”, Materials Characterization 58, pp. 629 – 636.

26. Deesirapipat Y. (2005), “Effects of MgO-Buffer Layer on the Structural and Optical Properties of Polycrystalline ZnO Films Grown on Glass Substrate”, Jpn. J. Appl. Phys. 44, pp. 5150-5155.

27. Edwards P. P. (2004), “Basic materials physics of transparent conducting oxides”, Dalton Trans., The Royal Society of Chemistry UK, pp. 2995 – 3002. 181

28. Ellmer K. (2000), “Magnetron sputtering of transparent conductive zinc oxide: relation between the sputtering parameters and the electronic properties”, J. Phys. D: Appl. Phys. 33, pp. R17–R32.

29. Exarhos G. J. (2007), “Discovery-based design of transparent conducting oxide films”, Thin Solid Films 515, pp. 7025 – 7052.

30. Fallah H. R. (2007), “Influence of heat treatment on structural, electrical, impedance and optical properties of nanocrystalline ITO films grown on glass at room temperature prepared by electron beam evaporation”, Physica E 39, pp. 69 – 74.

31. Fan John C. C., (1977), “X-ray photoemission spectroscopy studies of Sn-doped indium-oxide films”, J. Appl. Phys. 48, pp. 3524-2531.

32. Gordon R. G. (2000), “Criteria for Choosing Transparent Conductors”, MRS Bulletin 25(8), pp. 52 –57.

33. Gupta L. (1989), “Band gap narrowing and the band structure of tin – doped indium oxide films”, Thin Solid Films 176, pp. 33 – 44.

34. Hamberg I., (1984), “Band-gap widening in heavily Sn-doped In2O3”, Physical Review B 30, pp. 3240 – 3249.

35. Hamberg I., (1986), “Evaporated Sn-In2O3 films: Basic optical properties and applications to energy-efficient windows”, J. Appl. Phys. 60(11), pp. R123 – R159.

36. Heavens O. S. (1955), Optical properties of Thin Solid Films, Butterworths Scientific Publication, London.

37. Hosono H., (2007), “Recent progress in transparent oxide semiconductors: Materials and device application”, Thin Solid Films 515, pp. 6000 – 6014.

38. Ishibashi K. (1992), “Mass spectrometric ion analysis in the sputtering of oxide targets”, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1718 – 1722.

39. Jin Z. C., Hamberg I., Granqvist C. G (1988), “Optical properties of sputter – deposited ZnO:Al thin films”, J. Appl. Phys. 64(10), pp. 5117 – 5131.

40. Jung Y. S. (2003), “Development of indium tin oxide film texture during DC magnetron sputtering deposition”, Journal of Crystal Growth 259, pp. 343 – 351.

41. Kamei M. (1994), “Heteroepitaxial growth of tin-doped indium oxide films on single crystallline yttria stabilized zirconia substrates”, Appl. Phys. Lett. 64, pp. 2712 – 2714.

42. Kamei M. (1995), “Origin of characteristic grain-subgrain structure of tin-doped indium oxide films”, Thin Solid Films 259, pp. 38 – 45. 182

43. Kaminsky M. (1965), Atomic and Ionic Impact Phenomena on Metal Surfaces, Springer – Verlag, Berlin.

44. Khawaja E. E. (2000), “Simple method for determining the optical constants of thin metallic films from transmittance measurements”, Thin Solid Films 358, pp. 166 – 171.

45. Kim H. (1999), “Indium tin oxide thin films for organic light–emitting devices”, Appl. Phys. Lett. 74, pp. 3444 – 3446.

46. Kim H. (2000), “Effect of film thickness on the properties of indium tin oxide thin films”, J. Appl. Phys. 88, pp. 6021 – 6025.

47. Kim H. (2002), “Highly oriented indium tin oxide films for high efficiency organic light-emitting diodes”, J. Appl. Phys. 91, pp. 5371 – 5376.

48. Kim J. H. (2008), “Heat generation properties of Ga doped ZnO thin films prepared by rf-magnetron sputtering for transparent heaters”, Thin Solid Films 516, pp. 1330 – 1333.

49. Kittel C. (2003), Introduction to Solid State Physics, 7th Ed., John Wiley & Sons, Inc., Singapore.

50. Kraus J. D. (1992), Electromagnetics, 4th Ed., Mc-Graw Hill, USA.

51. Kukla R. (1990), “A highest rate self-sputtering magnetron”, Vacuum 41, pp.1968 – 1970.

52. Lai F. (2007), “Determination of optical constants and thicknesses of In2O3:Sn films from transmittance data”, Thin Solid Films 515, pp. 7387–7392.

53. Lide D. R. (2003), CRC Handbook of Chemistry and Physics, 84th Edition. CRC Press. Boca Raton, Florida, USA.

54. Losurdo M. (2001), “Modifications of c-Si/a-Si:H/indium tin oxide heterostructures upon thermal annealing”, J. Appl. Phys. 90, pp. 6505 – 6512.

55. Manifacier J. C. (1976), “A simple method for the determination of the optical constants n, k and the thickness of a weakly absorbing thin film”, J.Phys. E: Sci. Instrum. 9, pp. 1002 – 1004.

56. Mergel D. (2002), “Dielectric modeling of optical spectra of thin In2O3:Sn films”, J. Phys. D: Appl. Phys. 35, pp. 794 – 801.

57. Minami T. (1982), “Highly conductive and transparent zinc oxide films prepared by rf magnetron sputtering under an applied external magnetic field”, Appl. Phys. Lett. 41, pp. 958 – 960.

58. Minami T. (1985), “Group III Impurity Doped Zinc Oxide Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering”, Jpn. J. Appl. Phys. 24, pp. L781 – L784. 183

59. Minami T. (2000), “Highly transparent and conductive rare earth-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering”, Thin Solid Films 366, pp. 63 – 68.

60. Minami T. (2008), “Substitution of transparent conducting oxide thin films for indium tin oxide transparent electrode applications”, Thin Solid Films 516, pp.1314 – 1321.

61. Miyazaki M., (1997), “Properties of Ga-doped ZnO films”, Journal of Non-Crystalline Solids 218, pp. 323 – 328.

62. Mryasov O. N., Freeman A. J. (2001), “Electronic band structure of indium tin oxide and criteria for transparent conducting behavior”, Physical Review B 64, 233111, pp. 1-3.

63. Nakaya (2001), “Organic electroluminescent device and preparation method with ITO electrode (111) orientation”, United State Patent, No. 6188176.

64. Nalwa Hari Singh (2001), Handbook of Thin Film Materials, Academic Press, USA.

65. National Institute of Standards and Technology, “Hall Effect Measurements”, "http://www.eeel.nist.gov/812/hall.html"

66. Neerinck D. G. (1996), “Depth profiling of thin ITO films by grazing incidence X-ray diffraction”, Thin Solid Films 278, pp. 12 – 17.

67. Nelder J. A., Mead R. (1965), “A simplex method for function minimization”, Comput. J. 7, pp. 308 – 313.

68. Nyaiesh A. R. (1981), “The dependence of deposition rate on power input for dc and rf magnetron sputtering” Vacuum 31, pp. 315 – 317.

69. Ohhata Y. (1978), “Optical properties of rf reactive sputtered tin-doped In2O3 films”, Thin Solid Films 59, pp. 255 – 261.

70. Ohring M. (2002), Materials Science of Thin Films, 2nd Ed., Academic Press, NewYork.

71. Ohta H. (2002), “Surface morphology and crystal quality of low resistive indium tin oxide grown on yittria-stabilized zirconia”, J. Appl. Phys. 91, pp.3547 – 3550.

72. Okuya M. (2007), “ITO thin films prepared by a microwave heating”, Thin Solid Films 515, pp. 8656 – 8659.

73. O’Leary S. K., Johnson S. R., Lim P. K. (1997), “The relationship between the distribution of electronic states and the optical absorption spectrum of an amorphous semiconductor: An empirical analysis”, J. Appl. Phys., 82(7), pp.3334 – 3340. 184

74. Pauw L. J. van der (1958), “A methode of measuring specific resistivity and Hall effect of dics of arbitrary shape”, Philips Res. Repts 13(1), pp. 1 – 9.

75. Pelleg J. (1991), “Reactive-sputter-deposited TiN films on glass substrates”, Thin Solid Films 197, pp. 117-128.

76. Penning F. M. (1936), “Glow discharge at low pressure between coaxial cylinders in an axial magnetic field”, Physica 3, pp. 873 – 894.

77. Power B. D. (1966), High vaccum pumping equipment, Chapman and Hall Ltd., London.

78. Qiao Z. (2006), “Dielectric modeling of transmittance spectra of thin ZnO:Al films”, Thin Solid Films 496, pp. 520 – 525.

79. Reitz J. R. (1993), Foundation of electromagnetic theory, 4th Ed., Addison-Wesley, USA.

80. Roth A. P. (1982), “Band-gap narrowing in heavily defect-doped ZnO”, Physical Review B 25, pp. 7836 – 7839.

81. Sato K. (1995), United State Patent, No. 5458753.

82. Schaffer J. P. (1999), The Science And Design Of Engineering Materials, 2nd Ed., McGraw – Hill, New York.

83. Sernelius B. E. (1986), “Band-gap tailoring of ZnO by means of heavy Al doping”, Physical Review B 37, pp. 10244-10248.

84. Smith D. L. (1995), Thin-Film Deposition: Principles & Practice, McGraw-Hill, USA.

85. Smith F. M. (1958), “Measurement of Sheet Resistivities with the Four – Point Probe”, The Bell System Technical Journal, pp. 711 – 718.

86. Smith R.W. (1997), “A kinetic Monte Carlo simulation of fiber texture formation during thin-film deposition”, J. Appl. Phys. 81, pp. 1196-1203.

87. Solieman A. (2006), “Modeling of optical and electrical properties of In2O3:Sn coatings made by various techniques”, Thin Solid Films, 502, 205 – 211.

88. Song D. (2002), “Investigation of lateral parameter variations of Al-doped zinc oxide films prepared on glass substrates by rf magnetron sputtering”, Solar Energy Materials & Solar Cells 73, 1 – 20.

89. Swanepoel R. (1983), “Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon”, J. Phys. E: Sci. Instrum. 16, pp. 1214 – 1222.

90. Szczyrbowski J. (1989), “Bendable silver-based low emissivity coating on glass”, Solar Energy Mater. 19, pp. 43 – 53. 185

91. Tadayyon S. M. (1999), “Work function modification of indium–tin–oxide used in organic light emitting devices”, J. Vac. Sci. Tech. A 17, pp. 1773 – 1778.

92. Taga N. (1996), “Electrical properties of heteroepitaxial grown tin-doped indium oxide films”, J. Appl. Phys. 80, pp. 978 – 984.

93. Taga N. (2000), “Electrical properties and surface morphology of heteroepitaxial-grown tin-doped indium oxide thin films deposited by molecular-beam epitaxy”, J. Vac. Sci. Tech. A 18, pp. 1663 – 1667.

94. Tarsa E. J. (1993), “Pulsed laser deposition of oriented ln2O3 on (001) InAs, MgO and yttria-stabilized zirconia”, Appl. Phys. Lett. 62, pp. 2332 – 2334.

95. Teghil R. (2007), “Femtosecond pulsed laser deposition of nanostructured ITO thin films”, Materials Science and Engineering C 27, pp. 1034 – 1037.

96. The International Centre for Diffraction Data – ICDD, JCPDS Card No. 36 – 1451.

97. The International Centre for Diffraction Data – ICDD, JCPDS Card No. 06 – 0416.

98. Theiss W., Scout 98, Hard and Software for Optical Spectroscopy, Dr. Bernhard-Klein-Str. 110, 52078 Aachen, Germany, www.mtheiss.com.

99. Thilakan P. (2001), “Investigations on the crystallisation properties of RF magnetron sputtered indium tin oxide thin films”, Thin Solid Films 388, 34 – 40.

100. Thornton J. A. (1977), “High Rate Thick Film Growth”, Rev. Mater. Sci. 7, pp. 239 – 260.

101. Thornton J. A. (1978), “Cylindrical Magnetron Sputtering”, Thin Film Processes, Academic Press Inc., New York, pp. 75 – 110.

102. Thornton J. A. (1978), “Magnetron sputtering: basic physics and application to cylindrical magnetrons”, J. Vac. Sci. Technol. 15, pp. 171 – 178.

103. Tominaga K. (1982), “Energy analysis of high-energy neutral atoms in sputtering of ZnO and BaTiO3”, Jpn. J. Appl. Phys. 21, pp. 688 – 695.

104. Tominaga K. (1988), “Radiation Effect due to Energetic Oxygen Atoms on Conductive Al-Doped ZnO Films”, Jpn. J. Appl. Phys. 27, pp. 1176 – 1180

105. Tominaga K. (1998), Transparent conductive ZnO film preparation by alternating sputtering of ZnO:Al and Zn or Al targets”, Thin Solid Films 334, 35 – 39.

106. Tsurumi T. (1999), “Electric properties of Zinc oxide epitaxial films grown by Ion-beam sputtreing with oxygen-radical irradiation”, Jpn. J. Appl. Phys. 38, pp 3682 – 3688. 186

107. Viespe C. (2007), “ITO thin films deposited by advanced pulsed laser deposition”, Thin Solid Films 515, pp. 8771 – 8775.

108. Waits R. K. (1978), “Planar Magnetron Sputtering”, J. Vac. Sci. Technol. 15, pp. 179 – 187.

109. Waits R. K. (1978), “Planar Magnetron Sputtering”, Thin Film Processes, Academic Press Inc., New York, pp. 131 – 173.

110. Wang C. (2007), “Characteristics of ITO films fabricated on glass substrates by high intensity pulsed ion beam method”, Journal of Non–Crystalline Solids 353, pp. 2244 – 2249.

111. Weiher R. L. (1963), “Thermal Expansion of Indium Oxide”, J. Applied Physics 34, pp. 1833 – 1834.

112. Weiher R. L. (1966), “Optical Properties of Indium Oxide”, J. Appl. Phys. 37, pp. 299 – 300.

113. Weijtens C. H. L. (1991), “Influence of annealing on the optical properties of indium tin oxide”, Thin Solid Films 196, pp. l – 10.

114. Wendt R., Ellmer K. (1997), “Thermal power at a substrate during ZnO:Al thin film deposition in a planar magnetron sputtering system”, J. Appl. Phys. 82(5), pp. 2115 – 2122.

115. Wittkowski T. (2001), “Elastic properties of indium tin oxide films”, Thin Solid Films 398, pp. 465 – 470.

116. Wu C. C. (1997), “Surface modification of indium tin oxide by plasma treatment: An effective method to improve the efficiency, brightness, and reliability of organic light emitting devices”, Appl. Phys. Lett. 70, pp. 1348 –1350.

117. Wu W.-F. (1997), “Mechanical properties of r.f. magnetron sputtered indium tin oxide films”, Thin Solid Films 293, pp. 244 – 250.

118. Yeom G. Y. (1989), "Cylindrical Magnetron Discharges: I. Current-Voltage Characteristics for dc and rf Driven Discharge Sources", J. Appl. Phys. 65(10), pp. 3816 – 3824.

119. Yi C. H. (1995), “Oriented Tin-Doped Indium Oxide Films on <001> Preferred Oriented Polycrystalline ZnO Films”, Jpn. J. Appl. Phys. 34, pp.1638 – 1642.

120. Ying X. (1990), “Fitting of transmission data for determining the optical constants and thickness of optical films”, J. Appl. Phys. 67, pp. 2056 – 2059.

121. Zeng K. (2003), “Investigation of mechanical properties of transparent conducting oxide thin films”, Thin Solid Films 443, pp. 60 – 65.

-----------------------------------

keyword: download luan an tien si vat ly, chuyen nganh, quang hoc, tao mang dan dien, trong suot, bang phuong phap, phun xa magnetron, tran cao vinh

Bán linh kiện đồng hồ| Parts of watch

Tìm kiếm Blog này